GCM31MR11C105KC16L datasheet

GCM31MR11C105KC16L datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

Маркировка

GCM31MR11C105KC16L
Производитель

Murata Electronics
Описание

Murata Electronics GCM31MR11C105KC16L Product Category: Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT RoHS: yes Capacitance: 1 uF Tolerance: 10 % Voltage Rating: 16 V Temperature Coefficient / Code: R Case Code - in: 1206 Case Code - mm: 3216 Operating Temperature Range: - 55 C to + 125 C Product: Automotive MLCCs Dimensions: 3.2 mm Dia. x 1.6 mm L x 1.15 mm H Package / Case: 1206 (3216 metric) Series: GCM Factory Pack Quantity: 3000 Termination Style: SMD/SMT
Количество страниц

43 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet GCM31MR11C105KC16L.pdf
Файл формата Pdf 697,83 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

GCM31MR11C105KC16LОнлайн Компоненты

GCM31MR11C105KC16LЭИК

GCM31MR11C105KC16LТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Экспресс доставка электронных компонентов - Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Экспресс доставка электронных компонентов

Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.